场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管，是较新型的半导体材料，利用电场效应来控制晶体管的电流，因而得名。它只有一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。
分类：产品知识 日期：2024-09-25 浏览：534 查看 »
肖特基二极管是一种半导体器件，与普通二极管相比，它的电压降低和回复时间更短，因此在许多电路中都被广泛应用。
分类：产品知识 日期：2024-09-20 浏览：530 查看 »
正常工作时，P沟道增强型MOS管的衬底必需与源极相连，而漏心极的电压Vds应为负值，以保证两个P区与衬底之间的PN结均为反偏，同时为了在衬底顶表面左近构成导电沟道，栅极对源极的电压Vgs也应为负。
分类：产品知识 日期：2024-09-19 浏览：437 查看 »
对瞬变电压的吸收功率(峰值)与瞬变电压脉冲宽度间的关系，手册给的只是特定脉宽下的吸收功率(峰值)，而实际线路中的脉冲宽度则变化莫测，事前要有估计，对宽脉冲应降额使用。
分类：产品知识 日期：2024-09-19 浏览：403 查看 »
工作时，栅源之间不加电压时，漏源之间PN结是反向的，所以不存在导电沟道，即使漏源之间加了电压，导电沟电是关闭的，就不会有电流通过。
分类：产品知识 日期：2024-09-19 浏览：351 查看 »
在UDS为某一固定值的条件下，使ID等于一个微小电流值(几微安)时，栅极上所加偏压UGS就是夹断电压。它适用于结型场效应管及耗尽型绝缘栅型场效应管。
分类：产品知识 日期：2024-09-19 浏览：379 查看 »
